科學(xué)儀器???實(shí)驗(yàn)方案???計(jì)量檢測(cè)?? 設(shè)備運(yùn)維
PHI 5000 VPIII 多功能型掃描微探針
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http://www.hzyfmy.cn/instruments/surface/xps-aes-sims/83-versaprobe.html#sigProId840e2ee04e
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PHI VersaProbe III是獨(dú)特的掃描 X射線(xiàn)單色化的 XPS設(shè)備，具有顯著的大面積和微區(qū)分析能力。其設(shè)計(jì)需求是為快速地，空間分辨分析固體表面的元素和化學(xué)態(tài)組成。PHI VersaProbe III 結(jié)合獨(dú)特的掃描單色化 X 射線(xiàn)和自動(dòng)化樣品控制以及分析區(qū)域識(shí)別系統(tǒng)，可在自動(dòng)化環(huán)境下實(shí)現(xiàn)化學(xué)態(tài)成像和多點(diǎn)圖譜分析功能。
- 專(zhuān)利技術(shù)的聚焦掃描型X射線(xiàn)束用于樣品成像和分析，一個(gè)帶有多通道探測(cè)器的半球形能量分析器，一個(gè)高性能低能氬濺射離子槍?zhuān)粋€(gè)獨(dú)特和專(zhuān)利技術(shù)的電荷補(bǔ)償系統(tǒng)和一個(gè)大型五軸精密樣品臺(tái)。
- 為多種技術(shù)系統(tǒng)配置設(shè)計(jì)的。所有激發(fā)源法蘭可安裝和對(duì)準(zhǔn)到一個(gè)共同的分析位置，掃描 X 射線(xiàn)單色器可與其他所選激發(fā)源結(jié)合以實(shí)現(xiàn)多種表面分析技術(shù)聯(lián)用的功能，而且?guī)в懈哒婵諛悠分苽淝皇液蜆悠穫魉蜅U，VersaProbe III 可支持先進(jìn)領(lǐng)先的研究項(xiàng)目。
- 提供可選配的獨(dú)特的 Ar 氣團(tuán)簇離子束（GCIB）和 C60 濺射離子槍用于有機(jī)和無(wú)機(jī)材料的表面清潔和薄膜深度剖析。
- 使用 X射線(xiàn)光電子能譜儀(XPS) 能夠詳細(xì)地分析元素和化學(xué)態(tài)，通常也被稱(chēng)為電子能譜化學(xué)分析儀（ESCA）。其一系列的功能提供了獨(dú)特的高性能 XPS 薄膜分析（深度剖析）能力。系統(tǒng)的獨(dú)特設(shè)計(jì)可自動(dòng)分析不同類(lèi)型的樣品而無(wú)需更改儀器設(shè)置或參數(shù)設(shè)定。
- 基于一個(gè)超高真空分析腔室以保護(hù)樣品不受污染，可以對(duì)材料表面、 薄膜結(jié)構(gòu)和表面污染進(jìn)行清晰準(zhǔn)確的元素和化學(xué)態(tài)表征。
- 分析腔室由480 l/s 差分離子泵和鈦升華泵 (TSP)抽真空。而系統(tǒng)的預(yù)抽氣、 進(jìn)樣腔室抽氣和對(duì)濺射離子槍的差分抽氣均由 67 l/s 的分子渦輪泵完成。由于該系統(tǒng)固有的真空清潔度，對(duì)于分析所有類(lèi)型的樣品，碳?xì)浠衔锖推渌廴径急唤档偷阶钚∷健?/li>
- PHI VersaProbe III 的系統(tǒng)控制和數(shù)據(jù)處理都是通過(guò)一臺(tái)專(zhuān)用PC完成，其基于Windows ? 操作系統(tǒng)和安裝了專(zhuān)用軟件。
獨(dú)特的X射線(xiàn)源
- PHI VersaProbe III 是由專(zhuān)利的高通量的X 射線(xiàn)源產(chǎn)生聚焦單色化的X射線(xiàn)束，可以在樣品表面掃描。
獨(dú)特的SXI ?掃描 X 射線(xiàn)成像
- PHI VersaProbe III 可對(duì)樣品表面采集 X射線(xiàn)激發(fā)的二次電子像，類(lèi)似于掃描電鏡采集的二次電子像?？捎肧XI 圖像選取分析領(lǐng)域，以保證采集到的圖譜即是所感興趣的圖像區(qū)域。通常1 到 5 秒即可采集一張SXI 圖像。
名副其實(shí)的 X 射線(xiàn)光電子能譜
- 高分辨率 180 ° 半球形能量分析器提供功能全面的 XPS 分析能力包括 XPS全譜掃描、面分布、深度剖析、線(xiàn)掃描和角分辨分析。
高性能，低能量氬氣離子槍
- 在高能量或低能量的離子作用下，氬氣離子槍可對(duì)樣品表面進(jìn)行清潔，以及進(jìn)行 XPS 化學(xué)深度剖析。這個(gè)獨(dú)特的功能使其可進(jìn)行單分子層深度分辨率的濺射深度剖析。
- 與聚焦X射線(xiàn)束相應(yīng)，這種離子槍在濺射時(shí)可對(duì)樣品進(jìn)行小范圍區(qū)域?yàn)R射，與傳統(tǒng)的XPS系統(tǒng)相比可提高濺射速率。
獨(dú)特的電荷中和/補(bǔ)償能力
- PHI VersaProbe III 配有一套獨(dú)特的PHI專(zhuān)利 技術(shù)的雙束電荷中和/補(bǔ)償系統(tǒng)，其利用冷陰極電子流和氬離子濺射槍產(chǎn)生的極低能離子可以對(duì)所有類(lèi)型的樣品進(jìn)行荷電中和。
完備靈活的五軸樣品臺(tái)
- 五軸軟件驅(qū)動(dòng)的樣品臺(tái)可提供一個(gè)穩(wěn)定的具有高度準(zhǔn)確性和重復(fù)性的分析平臺(tái)。X 和 Y ± 25mm的移動(dòng)范圍可探測(cè)到水平 50mm的樣品表面而無(wú)需旋轉(zhuǎn)。
- 常中心旋轉(zhuǎn)的功能用于定位微區(qū)樣品特征以進(jìn)行離子刻蝕和分析。
- 20mm的 Z 軸移動(dòng)范圍使樣品操作靈活。
- 0o 到 90o 的傾斜軸范圍可實(shí)現(xiàn)角分辨XPS 測(cè)量（帶有型號(hào) 279HCA 的樣品裝載）。
提供多種樣品放置類(lèi)型：
- 型號(hào) 190HC – 2 個(gè)：直徑25.4 mm (1 inch.)，不銹鋼樣品托可放置直徑達(dá)25.4 mm的樣品。
- 型號(hào) 191HC – 2 個(gè)：直徑25.4 mm (1 inch)，不銹鋼樣品托，有凹槽適宜放置粉狀或塊狀樣品。凹槽大小為 10 x 20 x 5 mm （0.4 x 0.8 x 0.2 inches）。
冷/熱樣品臺(tái)選項(xiàng)
根據(jù)研發(fā)的需要，PHI VersaProbe III多功能的技術(shù)平臺(tái)可選項(xiàng)配備：
- 10keV的C60離子槍
- 雙陽(yáng)極，非單色X射線(xiàn)源
- 紫外線(xiàn)光源
- 95毫米的樣品處理
- 熱/冷樣品處理
- 可選的AES電子槍
- 真空轉(zhuǎn)移平臺(tái) (Vacuum Transfer Vessel)
- Micro-Electronics 微電子, 電子封裝
- Polymer 高份子材料
- Tribology 摩擦學(xué)
- Magnetic 磁性材料, 硬盤(pán), 藍(lán)光光盤(pán)
- Display Industries 顯示工業(yè)
- Graphene 石墨稀
- Catalysis 催化劑
- Energy related 能源產(chǎn)業(yè)
- Glass 玻璃
- Metal 金屬
- Ceramic 陶瓷
- Semi-conductors 半導(dǎo)體
- Bio-Medical 生醫(yī)科學(xué)
儀器性能和維護(hù)對(duì)于實(shí)驗(yàn)室的運(yùn)行來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，禹重為您提供培訓(xùn)、儀器服務(wù)計(jì)劃或按需維修服務(wù)，幫助您獲得準(zhǔn)確可靠的結(jié)果以及最長(zhǎng)的儀器正常運(yùn)行時(shí)間。我們很清楚保持儀器的最優(yōu)性能對(duì)提高您的生產(chǎn)力極為重要，因此，我們定能在您需要時(shí)為您排憂(yōu)解難。
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